Cadre et contexte :

L’objectif de ce contrat d’alternance est d’étudier les propriétés électroniques de films minces de chalcogénures à base de Ge-Bi-Sb-Te déposés par épitaxie van der Waals en pulvérisation cathodique industrielle dans les salles blanches du LETI. Ceci sera réalisé par des mesures de leurs propriétés de transport électronique (résistivité, Hall) et de leurs propriétés optiques (ellipsométire spectrocopique). En parallèle de ces mesures, la caractérisation physico-chimique des films (MEB, TEM, FTIR, Raman, etc …) sera réalisée par sur la Plateforme de Nano Caractérisation (PFNC) afin de corréler par exemple la modification des propriétés des films avec leur structure, les paramètres d’élaboration et les conditions d’intégration dans des démonstrateurs appliqués. Ce stage en alternance viendra renforcer notre équipe composée majoritairement de doctorants et post-doctorants. Ce sujet devrait contribuer à dépasser l’état de l’art actuel et soutiendra les filières mémoires, spin-orbitronique et photonique du LETI en proposant des matériaux innovants compatibles avec les technologies CMOS de la microélectronique traditionnelle.

Travail demandé :

Vous devrez réaliser des mesures de transport électronique par effet Hall sur des couches minces déposées en salle blanche au LETI ainsi que la caractérisation de leurs propriétés optiques par ellipsométrie spectroscopique. Vous participerez aussi à l’élaboration des films et leur caractérisation en salle blanche du LETI au cours de campagnes de dépôt. Ces résultats pourront être corrélés aux paramètres de dépôt des films afin d’améliorer leurs propriétés et leur mode d’intégration dans les dispositifs en fonction des applications visées telles que les dispositifs FESO (FerroElectric Spin Orbit devices), SOT-RAM (Spin-Orbit Torque-RAM), mémoires ou dispositifs photoniques. Ces matériaux avec des propriétés uniques pourraient révolutionner la microéelectronique et la photonique de demain.