Contexte: Pour la transition énergétique, il est essentiel de réduire les coûts et d’améliorer les performances des convertisseurs électriques, nécessitant des diodes et des transistors. Le nitrure de gallium est un matériau à large bande interdite permettant une commutation plus efficace, et cette étude optimisera davantage ce matériau, avec une croissance sur des couches de nucléation innovantes.

L’objectif principal du stage est la croissance de nitrure de gallium (GaN) ou de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN) sur des couches de nucléation déjà préparées. Différentes variantes de couches de nucléation seront utilisées, et diverses conditions d’épitaxie seront testées sur ces couches de nucléation.

Ces couches seront ensuite caractérisées avec une variété de techniques afin d’évaluer la qualité de la croissance. Cela comprendra la diffraction des rayons X pour évaluer la qualité cristalline et la densité de dislocations, la microscopie à force atomique pour évaluer la qualité de surface et la microscopie électronique à balayage pour examiner la surface à plus grande échelle. Des techniques supplémentaires telles que la cathodoluminescence et la photoluminescence peuvent être utilisées pour évaluer d’autres propriétés.