L’objectif du stage est d’étudier l’impact de l’introduction de dopants comme le Bi et le Sb sur les propriétés de transport électronique des films minces obtenus par épitaxie van der Waals en pulvérisation cathodique industrielle. Ceci sera réalisé par des mesures de la densité de porteurs électroniques par effet Hall. En parallèle de ces mesures, la caractérisation des propriétés ferroélectriques des films de GeTe dopés Bi et Sb sera réalisée par PFM sur la Plate-Forme de Nano-Caractérisation du LETI (PFNC) afin de corréler la modification de la conductivité des films par dopage Bi ou Sb aves les valeurs de champ coercitif de renversement des domaines ferroélectriques mesurés par PFM (Piezoresponse Force Microscopy). Ce sujet soutiendra les filières mémoires et spin-orbitronique en proposant des matériaux innovants compatible CMOS et back-end afin de révolutionner l'électronique en proposant de nouveaux composants à consommation énergétique ultra faible.