Stage - Développement de dispositifs de puissance GaN verticaux utilisant l'épitaxie localisée
Stage Grenoble (Isère) Développement informatique
Description de l'offre
Détail de l'offre
Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
2024-33349Description de l'unité
En nous rejoignant, vous contribuez au développement des composant électroniques radiofréquences qui sont utilisés dans l'industrie française et européenne de demain.
Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Stage - Développement de dispositifs de puissance GaN verticaux utilisant l'épitaxie localisée
Sujet de stage
Embarquez pour un voyage technologique passionnant avec le CEA LETI ! Ce stage offre une opportunité unique de développer vos compétences dans les dispositifs de puissance GaN et de concevoir des architectures de pointe. Vous travaillez aux côtés d'une équipe multidisciplinaire spécialisée en ingénierie des matériaux, caractérisation, simulation de dispositifs et mesures électriques, avec la possibilité de poursuivre en doctorat. Si vous êtes désireux d'innover, d'élargir vos connaissances et de relever des défis à la pointe de la technologie, ce poste est un atout précieux pour votre carrière !
Durée du contrat (en mois)
4 à 6 mois
Description de l'offre
Les composants de puissance verticaux en GaN sont très prometteurs pour les applications de puissance au-delà de la gamme kV et sont largement étudiés. L’épitaxie localisée du GaN permet la création de structures épaisses sur des substrats en silicium à un coût compétitif, avec un succès démontré dans les diodes et les transistors pseudo-verticaux. Cependant, la surface importante occupée par cette approche limite la densité énergétique des dispositifs. Ce stage vise à développer des composants entièrement verticaux plus denses en utilisant des méthodes de transfert de couches. Vous étudiez les caractéristiques électriques de ces composants pour observer l’impact des variations technologiques sur leurs performances.
Tout au long de ce stage, vous acquérez des connaissances approfondies sur les processus de microélectronique, la caractérisation électrique et la simulation TCAD (Conception Assistée par Ordinateur en Technologie). Vous collaborez avec une équipe multidisciplinaire et approfondissez votre compréhension des dispositifs de puissance GaN, tout en faisant partie d’un laboratoire dédié au développement des dispositifs de puissance à large bande interdite.
Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons
- Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
- Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
- De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage,
- Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
- Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
- Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
- Un restaurant d'entreprise,
- Une politique diversité et inclusion.
Rejoignez-nous en Stage !
CEA TechCorporate fromCEA Techon Vimeo.
En tant que stagiaire au CEA, vous avez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous avez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.
Profil recherché
Profil du candidat
Avec une solide formation de niveau master 2 en dispositifs microélectroniques et une passion pour la recherche technologique, vous êtes curieux, avide d’apprendre et possédez d’excellentes compétences en communication. Vous vous intéressez particulièrement aux méthodologies qui combinent la physique des dispositifs et la caractérisation électrique des nouvelles architectures de dispositifs pour l’électronique de puissance.
Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles !
Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l’inclusion des travailleurs
handicapés.